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특허명 2-트랜지스터 OTP 메모리 셀을 포함하는 OTP 메모리장치
출원번호 10 - 2008 - 0036068
출원일자 2008-04-18
대표발명자 김영희
발명자소속 창원대학교
기술개요 및 특징
본 발명은, 디스플레이 구동 회로의 발진 주기에 대한 조정 데이터를 저장하기 위한, 2-트랜지스터 OTP 메모리
셀을 포함하는 OTP 메모리 장치에 대하여 개시된다. OTP 메모리 장치는, 엑세스 트랜지스터와 안티퓨즈 형태
NMOS 커패시터로 구성된 OTP 메모리 셀을 이용하여, 프로그램 모드 시에는 지정된 어드레스에 따라 1-bit씩 프로그램하며, 읽기 모드 시에는 10-bit의 DOUT<9:0> 출력 데이터를 한꺼번에 독출한다. 입력 데이터와 동작 모드에 따라 안티 퓨즈 형태 NMOS 커패시터의 게이트에 인가되는 전압은 달라진다. 입력 데이터 "0"을 프로그램 할경우, 어드레스에 의해 선택된 셀은 안티 퓨즈 형태 NMOS 커패시터의 게이트에 VPPE(=5.5V)레벨 고전압이 인가되어 게이트 산화물이 파괴되면서 프로그램되고, 비선택된 나머지 셀에는 VDD(=1.5V)레벨의 저전압이 인가된다. 입력 데이터 "1"을 프로그램 할 경우, 모든 셀의 안티 퓨즈 형태 NMOS 커패시터의 게이트에 VDD 레벨의 전압이 인가됨으로써, 기존의 3-Tr. OTP 셀을 사용한 메모리에서의 고전압을 저지하기 위한 추가적인 트랜지스터를 제거하고, 프로그램 시 누설 전류가 발생하는 것을 방지한다.
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