홈페이지 통합검색
검색
홈 > 각종 DB 검색 > 특허DB
특허DB
특허 상세정보
특허상세정보
특허명 산화아연 나노선 배열 기반 전계방출 소자
출원번호 10 - 2007 - 0127117
출원일자 2007-12-07
대표발명자 이웅
발명자소속 창원대학교
기술개요 및 특징
본 발명은 산화아연 나노선 배열 기반 전계방출 소자에 관한 것이다. 무촉매 유기금속화학증착법(Metal Organic
Chemical Vapour Deposition, MOCVD)에 의해서 제조되는 산화아연(ZnO) 나노선의 배열 기반의 품질 개선을 위
해 알루미늄(Al)이 도핑 된 도체층을 더 구성하는 산화아연 나노선 배열 기반 전계방출 소자에 관한 것이다.
본 발명은 산화아연 나노선 배열 기반 전계방출 소자에 있어서, 규소 기판과, 백금 박막과, 알루미늄이 도핑된
산화아연 도체층과, 산화아연 나노선 배열층과, 세라믹 볼 이격부재와, 산화인듐주석 박막과, 유리층이 순차적으
로 적층된 것을 특징으로 하는 산화아연 나노선 배열 기반 전계방출 소자를 제공한다
특허상세이미지
대표이미지
대표이미지
목록