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특허 상세정보
| 특허명 | 산화아연 나노선 배열 기반 전계방출 소자 |
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| 출원번호 | 10 - 2007 - 0127117 |
| 출원일자 | 2007-12-07 |
| 대표발명자 | 이웅 |
| 발명자소속 | 창원대학교 |
| 기술개요 및 특징 | |
| 본 발명은 산화아연 나노선 배열 기반 전계방출 소자에 관한 것이다. 무촉매 유기금속화학증착법(Metal Organic Chemical Vapour Deposition, MOCVD)에 의해서 제조되는 산화아연(ZnO) 나노선의 배열 기반의 품질 개선을 위 해 알루미늄(Al)이 도핑 된 도체층을 더 구성하는 산화아연 나노선 배열 기반 전계방출 소자에 관한 것이다. 본 발명은 산화아연 나노선 배열 기반 전계방출 소자에 있어서, 규소 기판과, 백금 박막과, 알루미늄이 도핑된 산화아연 도체층과, 산화아연 나노선 배열층과, 세라믹 볼 이격부재와, 산화인듐주석 박막과, 유리층이 순차적으 로 적층된 것을 특징으로 하는 산화아연 나노선 배열 기반 전계방출 소자를 제공한다 |
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| 대표이미지 |
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