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특허명 저전력 및 저면적의 비휘발성 메모리 장치
출원번호 10 - 2007 - 0112421
출원일자 2007-11-06
대표발명자 김영희
발명자소속 창원대학교
기술개요 및 특징
본 발명은 저전력 및 저면적의 비휘발성 메모리 장치에 대하여 개시된다. 비휘발성 메모리 장치는, 메모리 셀 어
레이, 분리된 데이터 입/출력 포트, 비트라인 감지 증폭기, 그리고 DC-DC 변환기를 포함한다. 메모리 셀 어레이
는 행들 및 열들로 복수개의 비휘발성 메모리 셀들이 배열되고, 데이터 입력 포트는 비휘발성 메모리 셀로 기입
할 데이터를 수신한다. 비트라인 감지 증폭기는 비휘발성 메모리 셀의 데이터를 감지하여 데이터 출력 포트로 출
력한다. DC-DC 변환기는 비휘발성 메모리 셀로 기입 데이터를 프로그래밍하기 위한 제1 및 제2 승압 전압들을 발
생하되, 직렬 연결되는 다수개의 쇼트키 다이오드과 펌핑 다이오드들로 구성되는 딕슨 전하 펌프 회로를 이용하
여 제1 및 제2 승압 전압들을 발생한다.
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